SJ 50033.161-2002 半导体分立器件2CW210~251型硅电压调整二极管详细规范

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2009-6-11

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陌酬,昌,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/161- 2002,半导 体 分 立 器 件,2CW210}251型硅电压调整二极管,详细 规 范,Semiconductor discrete device,Detailsp ecificationf orsi liconv oltage-regulatord iodefo rty pe2 Cw210一251,2002-10-30发布2003--03-01实施,中华人民共和国信息产业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导 体 分 立 器 件,2CW210,-x251型硅电压调整二极管详细规范SJ 50033/161--2002,Se m ico nd u ct or d iscreted evice,De tail sp ec ific ationfo rsi licon,voltage-regulator diode for type 2CW210-251,1 范围,1.1 主题内容,本规 范 规 定了2C V210- 25了澳硅虫沐姗整窃.极鹭一:蛋以犷姨移器件)的详细要求,1.2 适用范围,本规 范 适 用于器件的研策卿生i1}1'和采购,1.3 分类,本规 范 根 据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按 GJ B3 执=9丫《军导群一分狱k件游舰范减1.3.1的规定,提供撇质员保rplir级为铃军级、,特军级和超特耸级厂扩另J角李海JP. JT和允工:级示,2 引用文件,GBI T6 5 11 -=-M m 半导体器于仁扮立器钱黔斗夏部分:信成次戴A开关)卿调整二极管,GB fr7 5 叭 书巍7'半异,体分立器件外戒一澎步1,GJB 3 3A 决97-"}半导休分立器件总规麒,GJB 1 2 8A --'}97;架孰体分立滚亨件iA验方法,3 要求,3.1 详细要求,各项 要 求 应按GJB3 狱和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸一、,器件 的 设 计和结构应按GJB3 3考fql本到范的规定0,3.2.1 引出端材料和镀涂层,引 出端 材 料为无氧铜,引出端表面应为锡层,对引出端镀涂,另有要求时,在合同或订货,单中予以规定,3.2.2 器件的结构,器件 为 玻 璃钝化封装非空腔结构,芯片采用台面型,芯片和引出线之间采用高温冶金键合,对于该封装结构器件,GJB 33A中3.5.1.1, 3.5.1.2和附录A4.1.10.3的规定不适用,中华人民共和国信息产业部2002-10-3。发布2003-03-01实施,5J 50033/161--2002,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GBfT 7581---87中的D2-10A型及图1的规定,N,心,色,负极标志,育汁之义D2-10A,m in,.,nom m ax,动b2 0.72 0.87,巾D 3.5,G 5.0,L 25,L, 1.5,L2.) 12.5,1) L:为引线巧曲成直角后器件安装的最小轴向长度.,图1 外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3. 1 最大额定值,最 大 额 定值见表1,表1 最大额定值,'P过 尸以 1),TA=25 -C,W,几5M,mA,IzM,爪A,Top,℃,Tllt8,℃,2CW210-251 0.5 表9第8栏表9第7栏-55^-150 -55-150,一己匕TA>25'C些V}4m W IKE)燮 哩燮些 }!, __ ______.,3.3.2 主要电特性,各型 号 的 电特性和测试条件按表9的规定.,主要 电 特 性(TA=250C )见表2.,3.4电测试要求,电测 试 应 符合GBIT6 571-~-1995及本规范的规定,3.5标志,3.5.1.1 标志应符合GJB 33A和本规范的规定,SJ 500331161- 2002,器件的标志为极性和型号.省略GJB 33A中3.7.1的C, d, e, f, g, h, iv,— 极性,负极用一明显的色环标志;,— 型号,表 2 主 要 电 特 性,\ Vz,Iz:表9第4栏,V,VF,IF=200 mA,V,产:,IZ:表9第4栏,Q,rkz,Izk习爪人,O,IRI,VR:表9第9栏,协人,。 二 },1z:表9第4栏,0/0/ *C,最小值最大值最大值最大值最大值最大值最大位,2CW210-251 表9第,1栏,表9第,3栏,表9第,15栏,表9第,5栏,表4第,6栏,表9第,10栏,表9第,14栏,4 质量保证规定,4.1抽样和检验,抽样 和 检 验应按GJB3 弘和本规范的视定,4.2 鉴定检验,4.2.1 鉴定检验应按UJB 33A角规定,4.2.2 E组检验(仅供鉴定梦,E组 检 验 应按GJB`33A,的规老津具体检验顶目拔表7的规定进行,4.3筛选(仅对i穿和一况T级戈,筛选 应 按 GA 33A'}表熟的规定飞具体要求见表3.规定,其测试应按本规范表4的规定进行,超过本,规范表4极限值的器件应予剔fl-r,表一 3 选要 求,筛选项f; 」,一试44方法号,:、一OJB,一澳284 舞侠,JCT级,’要求,JT级,要求,1.内部目检‘封装前; ,j班_倍放大镜:、烧炸后;乍管声与SD n q.无间,隙,无)R岸 , 接 牢 ;f"{ 8,2.高温寿命(不工作) 1432 TA 150'C r-96 h ,3.温度循环(空气一空气) 1051 除高a为150一乳℃外.其,余按试验条佚‘G_xR.20 #:,11. PDA的中间电参数测试和(△),变化量,玄表吟的从汤爹组气立.IB……

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